Im Labor gelang es Forschern von IBM und dem Georgia Institute of Technology, den ersten 500 GHz schnellen Chip auf Silizium-Germanium-Basis herzustellen. Allerdings erreicht der SiGe-Halbleiter das Rekordtempo erst bei 4,5 Kelvin (etwa –268,5 Grad Celsius). Auf der Erde lassen sich so niedrige Temperaturen nur durch Kühlung mit flüssigem Helium erzeugen. Bei Raumtemperatur erreicht der Chip immerhin etwa 350 GHz. Computersimulationen deuten an, dass das Tempo sogar auf rund ein Terahertz (1000 GHz) gesteigert werden könnte. SiGe-Halbleiter lassen sich günstiger herstellen und sind sparsamer, als die im Hochfrequenzbereich bislang verwendeten so genannten III-V-Halbleiter, etwa Galliumarsenid (GaAs).
Die Testchips hat IBM in einem SiGe-Fertigungsprozess der vierten Generation für 200-Millimeter-Wafer hergestellt, der sich zurzeit im Prototypenstadium befindet. IBM erhofft sich von den Versuchen auch Erkenntnisse, die sich zur Produktion schnellerer Silizium-Schaltungen nutzen lassen.
Quelle :
www.heise.de
